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参数资料
| 型号： | IXFN100N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q3394492 |
IXFN 100N50P
160
140
Fig. 7. Input Admittance
150
135
Fig. 8. Transconductance
120
120
105
100
80
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
90
75
60
T J = - 40oC
25oC
125oC
45
40
30
20
0
15
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 50A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10,000
1,000
100
C iss
C oss
C rss
100
10
1
R DS(on) Limit
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
25μs
100μs
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN100N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 |
| IXFN120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
| IXFN130N30 | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B |
| IXFN140N20P | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
| IXFN140N25T | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN100N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN106N20 | 功能描述:MOSFET 200V 106A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) |
| IXFN110N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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