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参数资料
| 型号： | IXFN100N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 100N25
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
40
70
S
C iss
9100
pF
C oss
C rss
t d(on)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
1800
600
42
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
55
ns
M4 screws (4x) supplied
t d(off)
R G = 1 W (External),
110
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
40
300
ns
nC
A
B
C
D
31.50
7.80
4.09
4.09
31.88
8.20
4.29
4.29
1.240
0.307
0.161
0.161
1.255
0.323
0.169
0.169
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
57
160
0.05
0.22
nC
nC
K/W
K/W
E
F
G
H
J
K
L
M
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
N
O
P
25.15
1.98
4.95
25.42
2.13
5.97
0.990
0.078
0.195
1.001
0.084
0.235
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Q
R
S
26.54
3.94
4.72
26.90
4.42
4.85
1.045
0.155
0.186
1.059
0.174
0.191
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
T
24.59
25.07
0.968
0.987
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
100
400
A
A
U
-0.05
0.1
-0.002
0.004
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1.4
10
1.5
250
V
ns
m C
A
Note: 1. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN100N50P | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B |
| IXFN100N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 |
| IXFN120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
| IXFN130N30 | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B |
| IXFN140N20P | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN100N50P | 功能描述:MOSFET 500V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN100N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN106N20 | 功能描述:MOSFET 200V 106A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) |
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