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参数资料
| 型号： | IXFN170N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 515nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFK170N10
IXFN170N10
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External),
65
10,300
2,200
1,200
40
90
158
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
Q g(on)
79
515
ns
nC
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
62
276
nC
nC
A1
A2
b
b1
2.54
2.00
1.12
2.39
2.89
2.10
1.42
2.69
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
b2
2.90
3.09
.114 .122
R thJC
R thCK
R thJC
R thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.15
0.05
0.22
0.21
K/W
K/W
K/W
K/W
c
D
E
e
J
K
L
L1
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
P
Q
Q1
R
R1
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
Source-Drain Diode
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
S
T
6.04
1.57
6.30
1.83
.238 .248
.062 .072
miniBLOC, SOT-227 B
I S
I SM
V GS = 0
Repetitive;
170
680
A
A
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 100 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
I F = 50 A, -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
175
1.1
12.6
1.5
V
ns
m C
A
M4 screws (4x) supplied
Notes:
1. R GS = 1 M W
2. Pulse width limited by T JM.
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
31.50 31.88
Inches
Min. Max.
1.240 1.255
3. Chip capability
4. Current limited by external leads
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D3V-11G5-1C24-K | SWITCH ROLLER SPDT 11A QC TERM |
| CR5311-200 | TRANSDCR VOTAGE DC 0-200VDC IN |
| MID200-12A4 | MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB |
| MDI200-12A4 | MOD IGBT BUCK 1200V 270A Y3-DCB |
| CR6621-5000 | TRANSDCR FREQ AC 4-20MA OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN170N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXFN170N30P | 功能描述:MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN17N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN180N06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFN180N07 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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