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参数资料
| 型号： | IXFN170N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 515nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFK170N10
IXFN170N10
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
300
250
T J =25 O C
V GS =10V
9V
8V
300
250
T J =125 O C
V GS =10V
9V
8V
200
7V
200
7V
150
100
6V
150
100
6V
50
5V
50
5V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
V DS - Volts
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. I D
V DS - Volts
Figure 4. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. T J
1.8
1.6
V GS = 10V
T J = 125 O C
2.2
2.0
V GS =10V
1.4
1.8
1.2
1.0
0.8
T J = 25 O C
1.6
1.4
1.2
I D =170A
I D =85A
0.6
0
50
100
150
200
250
300
1.0
25
50
75
100
125
150
200
175
150
125
100
I D - Amperes
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
100
80
60
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
T J = 125 o C
75
50
25
40
20
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
0
2
4
6
8
10
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D3V-11G5-1C24-K | SWITCH ROLLER SPDT 11A QC TERM |
| CR5311-200 | TRANSDCR VOTAGE DC 0-200VDC IN |
| MID200-12A4 | MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB |
| MDI200-12A4 | MOD IGBT BUCK 1200V 270A Y3-DCB |
| CR6621-5000 | TRANSDCR FREQ AC 4-20MA OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN170N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXFN170N30P | 功能描述:MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN17N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN180N06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFN180N07 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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