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参数资料
| 型号： | IXFN20N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
HiPerFET TM
IXFN 20N120
V DSS
= 1200 V
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
G
S
D
S
I D25 = 20 A
R DS(on) = 0.75 ?
t rr ≤ 300 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
1200
1200
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
G
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C, Chip capability
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
20
80
A
A
D
S
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
10
40
2
5
A
mJ
J
V/ns
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
780
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
W
° C
° C
° C
V~
V~
Features
? International standard package
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GH(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
1200
2.5
4.5
± 100
V
V
nA
?
?
power supplies
DC choppers
Temperature and lighting controls
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s,
duty cycle d ≤ 2 %
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100
2
0.75
μ A
mA
?
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99116(11/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN210N20P | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B |
| IXFN21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| IXFN230N10 | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B |
| IXFN230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 |
| IXFN240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN20N120P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N20P | 功能描述:MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN21N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) |
| IXFN21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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