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参数资料
| 型号： | IXFN230N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 570nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Power MOSFET
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
IXFN230N10
V DSS = 100V
I D25 = 230A
R DS(on) ≤ 6.0m Ω
t rr ≤ 250ns
miniBLOC, SOT-227 B
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
100
100
V
V
G
S
V GSS
V GSM
I D25
I L(RMS)
Continuous
Transient
T C = 25 ° C, Chip capability
External lead current limit
± 20
± 30
230
200
V
V
A
A
D
S
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
920
A
G = Gate
D = Drain
I A
E AS
dV/dt
P d
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting torque
Terminal connection torque
100
4
10
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
S = Source
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard package
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Avalanche rated
? Guaranteed FBSOA
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Advantages
?
?
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
?
High power density
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
100
2.0
4.0
± 200
100
2
6.0
V
V
nA
μ A
mA
m Ω
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? 2008 IXYS Corporation, All rights reserved
?
Temperature and lighting controls
DS98548F(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 |
| IXFN240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
| IXFN24N100 | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B |
| IXFN25N90 | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN230N10_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Single Die MOSFET |
| IXFN230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN23N100 | 功能描述:MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN240N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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