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参数资料
| 型号： | IXFN25N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs
V DSS
I D25
R DS(on)
Single Die MOSFET
IXFN25N90
IXFN26N90
900V
900V
25A
26A
330m Ω
300m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated,High dv/dt, Low t rr
Fast Intrinsic Diode
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
900
900
± 20
± 30
V
V
V
V
miniBLOC, SOT-227
E153432
S
G
I D25
I DM
I D25
I DM
I AR
I AR
E AR
E AS
T C
T C
T C
T C
T C
T C
T C
T C
= 25 ° C
= 25 ° C, pulse width limited by T JM
= 25 ° C
= 25 ° C, pulse width limited by T JM
= 25 ° C
= 25 ° C
= 25 ° C
= 25 ° C
25N90
25N90
26N90
26N90
25N90
26N90
25
100
26
104
25
26
64
3
A
A
A
A
A
A
mJ
J
S
D
G = Gate D = Drain
S = Source
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
dV/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
5
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting torque
Terminal connection torque
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Features
International standard package
miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
Low R DS(ON) HDMOS TM process
Avalanche Rated
Low package inductance
Fast intrinsic diode
Advantages
Low gate drive requirement
High power density
Applications:
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC-DC Converters
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
900
V
Battery chargers
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
3.0
5.0
± 200
V
nA
DC choppers
Temperature & lighting controls
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
100 μ A
2 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
25N90
26N90
330 m Ω
300 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS97526F(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
| IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B |
| IXFN26N120P | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
| IXFN26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN-25N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN260N17T | 功能描述:MOSFET 245A 170A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N100P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N90 | 功能描述:MOSFET 900V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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