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参数资料
| 型号： | IXFN25N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN25N90
IXFN26N90
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
Figure 2. Extended Output Characteristics at 125 O C
20
15
T J = 25°C V GS = 9V
8V
7V
50
40
T J = 25°C
V GS = 9V
8V
7V
6V
6V
5V
30
10
20
5
4V
10
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
V DS - Volts
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. I D
V CE - Volts
Figure 4. Admittance Curves
30
25
20
T J = 125°C
V GS = 9V
8V
7V
6V
5V
30
25
20
T J = 125 C
O
T J = 25 C
15
10
15
10
O
5
0
4V
5
0
0
5
10
15
20
25
2
3
4
5
6
7
6. R DS(ON) R Normalized to 0.5 I D25 value vs. T vs.
DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value J
V DS - Volts
Figure 5. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. I D
Fig. 6.
V GS - Volts
Junction Temperature
2.4
2.2
V GS GS 10V
2.4
2.2
V GS = 10V
2.4
2.2
V = 10V
=
2.0
1.8
ID = 26A
2.0
1.8
T J = 125°C
2.0
1.8
I D = 26A
I D = 13A
1.6
1.6
1.6
1.4
1.2
1.4
1.2
1.0
T J = 25°C
1.4
1.2
1.0
I D = 13A
25
50
75 100 125
150
0.8
0
10
20
30
40
50
0.8
25
50
75 100 125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
-
T J - T J Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
| IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B |
| IXFN26N120P | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
| IXFN26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN-25N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN260N17T | 功能描述:MOSFET 245A 170A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N100P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N90 | 功能描述:MOSFET 900V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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