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参数资料
| 型号： | IXFN25N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN25N90
IXFN26N90
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B Outline
g fs
C iss
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I DSS , Note 1
18
28
8.7
10.8
S
nF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
800
300
60
35
130
24
240
56
107
1000
375
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.21 ° C/W
R thCS
0.05
° C/W
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V
25N90
26N90
25N90
26N90
1.4
10
25
26
100
104
1.5
250
A
A
A
A
V
ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
| IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B |
| IXFN26N120P | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
| IXFN26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN-25N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN260N17T | 功能描述:MOSFET 245A 170A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N100P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N90 | 功能描述:MOSFET 900V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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