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参数资料
| 型号： | IXFN26N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 460 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 695W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFN26N120P
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
1200V
23A
500m Ω
300ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
miniBLOC
E153432
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
1200
1200
± 30
± 40
V
V
V
V
D
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
23
60
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I A
E AS
P D
dv/dt
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
50/60 Hz, RMS, t = 1minute
I ISOL ≤ 1mA, t = 1s
Mounting Torque for Base Plate
Terminal Connection Torque
13
1.5
695
20
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
J
W
V/ns
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either Source Terminal S can be used as
the Source Terminal or the Kelvin Source
(Gate Return) Terminal.
Features
International Standard Package
Low Intrinsic Gate Resistance
miniBLOC with Aluminum Nitride
Isolation
Fast Intrinsic Diode
Dynamic dv/dt Rating
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1200
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 200
V
nA
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 13A, Note 1
T J = 125 ° C
50 μ A
5 mA
500 m Ω
Power Supplies
DC-DC Converters
Discharger Circuits in Lesers Pulsers,
Spark Igniters, RF Generators
High Voltage Pulse Power Supplies
AC and DC Motor Drives
High Speed Power Switching
Application
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99887B10/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
| IXFN280N085 | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
| IXFN30N110P | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
| IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN26N90 | 功能描述:MOSFET 900V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN-26N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN27N80 | 功能描述:MOSFET 800V 27A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN280N07 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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