- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录455 > IXFN30N120P (IXYS)MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN30N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 310nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN30N120P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1200V
30A
350 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
1200
1200
± 30
± 40
V
V
V
V
G
S
I D25
I DM
I A
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
30
75
15
A
A
A
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
S
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
2
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
Mounting torque
t = 1min
t = 1s
2500
3000
1.5/13
V~
V~
Nm/lb.in.
? Fast recovery diode
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
Weight
Terminal connection torque
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
g
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? High power density
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
1200
3.5
6.5
± 300
V
V
nA
High Voltage Switched-mode and
resonant-mode power supplies
High Voltage Pulse Power
Applications
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
5 mA
High Voltage Discharge circuits in
Laser Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
350 m Ω
High Voltage DC-DC converters
High Voltage DC-AC inverters
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99884A (4/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
| IXFN32N100P | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
| IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN32N120 | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN340N06 | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN320N17T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。