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参数资料
| 型号： | IXFN32N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 320 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 690W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN32N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
27A
320 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
1000
1000
± 30
± 40
V
V
V
V
G
S
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
27
75
16
A
A
A
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
S
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
1.5
20
690
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
International standard package
Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
Mounting torque
Terminal connection torque
t = 1min
t = 1s
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight
30
g
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1000
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 200
V
nA
Applications
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 16A, Note 1
T J = 125 ° C
50 μ A
2.5 mA
320 m Ω
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor controls
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99880A(4/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN32N120 | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN340N06 | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B |
| IXFN340N07 | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B |
| IXFN34N100 | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N60 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N80P | 功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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