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参数资料
| 型号： | IXFN32N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 310 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 21000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
IXFN32N120P
V DSS = 1200V
I D25 = 32A
R DS(on) ≤ 310m Ω
t rr ≤ 300 ns
miniBLOC
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
S
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
1200
1200
V
V
G
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
± 30
± 40
32
100
V
V
A
A
D
S
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
16
2
A
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1 minute
I ISOL ≤ 1mA t = 1 second
Mounting Torque
Terminal Connection Torque
20
1000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either Source Terminal S can be used as
the Source Terminal or the Kelvin Source
( Gate Return ) Terminal.
Features
International Standard Package
miniBLOC, with Aluminium Nitride
Isolation
Isolation Voltage 2500 V~
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low R DS(on) HDMOS TM Process
Advantages
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1200
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.5
6.5
± 300
50
5
V
nA
μ A
mA
Applications
High Voltage Switch-Mode and
Resonant-ModePower Supplies
High Voltage Pulse Power
Applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
310 m Ω
High Voltage Discharge Circuits in
Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
High Voltage DC-DC Converters
High Voltage DC-AC Inverters
? 2010 IXYS Corporation, All Rights Reserved
DS99718H(03/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN32N120 | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN340N06 | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B |
| IXFN340N07 | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B |
| IXFN34N100 | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B |
| IXFN34N80 | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN32N60 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N80P | 功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N06 | 功能描述:MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N07 | 功能描述:MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N07_04 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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