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参数资料
型号： IXFN32N120P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
标准包装： 10
系列： Polar™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 32A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 310 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 360nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 21000pF @ 25V
功率 - 最大： 1000W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
包装： 管件
IXFN32N120P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
0.300
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2010 IXYS Corporation, All Rights Reserved
IXYS REF: F_32N120P(99) 3-04-10-D
相关PDF资料
PDF描述
IXFN32N120 MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN340N06 MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
IXFN340N07 MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
IXFN34N100 MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
IXFN34N80 MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFN32N60 功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN32N80P 功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN340N06 功能描述:MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN340N07 功能描述:MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN340N07_04 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET
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