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参数资料
| 型号： | IXFN32N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 320 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 690W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN32N100P
40
35
30
25
Fig. 7. Input Admittance
40
35
30
25
Fig. 8. Transconductance
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
20
15
10
5
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
14
12
10
8
V DS = 500V
I D = 16A
I G = 10mA
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100,000
f = 1 MHz
1.000
Ciss
10,000
0.100
Coss
1,000
100
10
Crss
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_32N100P(96)3-28-08-C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN32N120 | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN340N06 | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B |
| IXFN340N07 | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B |
| IXFN34N100 | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N60 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N80P | 功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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