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参数资料
| 型号： | IXFN32N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 320 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 690W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN32N100P
32
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 15V
70
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 15V
28
24
20
10V
9V
60
50
40
10V
9V
16
12
8V
30
8
20
8V
4
0
7V
10
0
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 16A Value
vs. Junction Temperature
32
28
V GS = 15V
10V
9V
3.0
2.8
2.6
V GS = 10V
24
8V
2.4
2.2
20
16
2.0
1.8
1.6
I D = 32A
I D = 16A
12
8
4
0
7V
6V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 16A Value
vs. Drain Current
28
26
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 125oC
T J = 25oC
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0.8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| IXFN32N120 | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
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| IXFN34N100 | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N120P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N60 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N80P | 功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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