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参数资料
| 型号： | IXFN26N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 460 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 695W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN26N120P
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
50
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
24
20
16
12
V GS = 10V
9V
8V
45
40
35
30
25
V GS = 10V
9V
20
8
15
10
8V
4
0
7V
5
0
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value vs.
Junction Temperature
24
V GS = 10V
9V
V GS = 10V
2.6
20
16
8V
2.2
1.8
I D = 26A
I D = 13A
12
1.4
7V
8
4
0
6V
1.0
0.6
0.2
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
24
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.2
T J = 125oC
20
2.0
16
1.8
1.6
1.4
1.2
T J = 25oC
12
8
4
1.0
0.8
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
| IXFN280N085 | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
| IXFN30N110P | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
| IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN26N90 | 功能描述:MOSFET 900V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN-26N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN27N80 | 功能描述:MOSFET 800V 27A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN280N07 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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