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参数资料
| 型号： | IXFN26N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs
V DSS
I D (cont)
R DS(on)
t rr
Single Die MOSFET
IXFN 26N90
IXFN 25N90
900 V
900 V
26 A
25 A
0.30 W
0.33 W
250 ns
250 ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
G
D
Preliminary data sheet
S
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
900
900
± 20
± 30
V
V
V
V
E153432
G
S
I D25
T C = 25 ° C
26N90
26
A
S
25N90
25
D
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
26N90
25N90
26N90
104
100
26
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
25N90
25
Either Source terminal at miniBLOC can be used
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T J
V ISOL
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ￡ 1 mA t=1s
64
3
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
-
2500
3000
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard package
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
M d
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
? Fast intrinsic Rectifier
Weight
30
g
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
900
V
power supplies
? DC choppers
V GH(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 8 mA
= ± 20 V DC , V DS = 0
V GS
V DS = 0.8 ? V DSS T J = 25 ° C
V GS =0V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
3.0
26N90
25N90
5.0
± 200
100
2
0.30
0.33
V
nA
m A
mA
W
W
? Temperature and lighting controls
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
97526E (10/99)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
| IXFN280N085 | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
| IXFN30N110P | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
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| IXFN320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN-26N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN27N80 | 功能描述:MOSFET 800V 27A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN280N07 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN280N07_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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