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参数资料
| 型号： | IXFN27N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 320 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
IXFN 27N80Q V DSS
I D25
R DS(on)
D
G
= 800 V
= 27 A
= 320 m ?
Preliminary data sheet
S
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
800
800
± 20
± 30
27
108
27
V
V
V
V
A
A
A
E153432
G = Gate
S
G
D = Drain
D
S
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
60
2.5
5
520
mJ
J
V/ns
W
S = Source TAB = Drain
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
Features
? International standard package
? Epoxy meet
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
? IXYS advanced low Q g process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
V DSS
V GH(th)
I GSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
800 V
2.5 4.5 V
± 100 nA
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100
2
0.32
μ A
mA
?
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2001 IXYS All rights reserved
98813 (04/01)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN280N085 | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
| IXFN30N110P | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
| IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
| IXFN320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
| IXFN32N100P | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN280N07 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN280N07_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN280N085 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN300N10P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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