- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录455 > IXFN27N80Q (IXYS)MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN27N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 320 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 27N80Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
20
27
7600
750
120
20
S
pF
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
28
ns
M4 screws (4x) supplied
t d(off)
t f
R G = 1 ? (External),
50
13
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
31.50 31.88
Min.
1.240
Inches
Max.
1.255
B
7.80
8.20
0.307
0.323
Q g(on)
170
nC
C
D
4.09
4.09
4.29
4.29
0.161
0.161
0.169
0.169
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
47
65
nC
nC
E
F
G
4.09
14.91
30.12
4.29
15.11
30.30
0.161
0.587
1.186
0.169
0.595
1.193
H
38.00
38.23
1.496
1.505
R thJC
R thCK
0.05
0.24
K/W
K/W
J
K
L
M
11.68
8.92
0.76
12.60
12.22
9.60
0.84
12.85
0.460
0.351
0.030
0.496
0.481
0.378
0.033
0.506
N
O
P
Q
R
S
T
U
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
I S
I SM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive;
min.
typ.
max.
27
108
A
A
pulse width limited by T JM
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
1.5
V
Note 1
t rr
Q RM
I RM
Note 1:
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.3
8
250
ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN280N085 | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
| IXFN30N110P | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
| IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
| IXFN320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
| IXFN32N100P | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN280N07 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN280N07_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN280N085 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN300N10P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。