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参数资料
| 型号： | IXFN25N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN25N90
IXFN26N90
15
Figure 7. Gate Charge
20000
Figure 8. Capacitance Curves
12
V DS = 500 V
I D = 13 A
I G = 10 mA
10000
Ciss
f = 1MHz
9
Coss
6
3
0
1000
100
Crss
0
50
100
150
200
250
300
350
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50
45
40
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
30
25
V DS - Volts
IXFN26N90
35
20
IXFN25N90
30
25
20
15
10
5
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
15
10
5
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Case Temperatue - C
0.300
0.100
0.010
0.001
V SD - Volts
o
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse W idth - Seconds
Figure 11. Transient Thermal Resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_26N90(9X)12-09-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
| IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B |
| IXFN26N120P | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
| IXFN26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN-25N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN260N17T | 功能描述:MOSFET 245A 170A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N100P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN26N90 | 功能描述:MOSFET 900V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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