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参数资料
| 型号： | IXFN230N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 570nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN230N10
240
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
200
9V
8V
7V
300
9V
8V
7V
250
160
200
6V
120
6V
150
80
40
0
5V
100
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
240
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value
vs. Junction Temperature
200
160
120
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 230A
I D = 115A
1.0
40
0.8
0
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value
vs.Drain Current
220
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
T J = 125oC
200
180
160
140
120
100
80
60
External Lead Current Limit
1.0
0.8
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS Corporation, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF: F_230N10(9Y-N17)12-02-08-D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 |
| IXFN240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
| IXFN24N100 | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B |
| IXFN25N90 | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN230N10_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Single Die MOSFET |
| IXFN230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN23N100 | 功能描述:MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN240N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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