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参数资料
| 型号： | IXFN24N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 267nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 568W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power
MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN24N100
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
24A
390 m Ω
250 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
E153432
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
1000
1000
± 20
± 30
24
96
V
V
V
V
A
A
G
S
D
S
I A
T C = 25 ° C
24
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
M d
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting torque
Terminal connection torque
3
5
568
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Avalanche rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Weight
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 8mA
I GSS V GS = ± 20V, V DS = 0V
30
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000
3.0 5.5
± 200
g
V
V
nA
Applications
? DC-DC converters
? Synchronous rectification
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
? Low voltage relays
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 12A, Note 1
T J = 125 ° C
100
2
390
μ A
mA
m Ω
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS98597H(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN25N90 | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
| IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B |
| IXFN26N120P | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
| IXFN26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN24N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN24N90Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN25N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
| IXFN25N90 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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