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参数资料
| 型号： | IXFN24N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 267nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 568W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN24N100
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V DS = 10V, I D = 12A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 12A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 12A
15
27
8700
785
315
35
35
75
21
267
52
142
0.05
0.22
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C/ W
° C /W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = 24A, V GS = 0V, Note 1
24
96
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 24A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V
1.0
8.0
250
ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN25N90 | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B |
| IXFN260N17T | MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 |
| IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN24N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN24N90Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN25N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
| IXFN25N90 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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