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参数资料
| 型号： | IXFN210N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 188A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 105A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1070W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFN210N20P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
200V
188A
10.5 m Ω
200 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
miniBLOC
E153432
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
200
200
V
V
G
S
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
D
S
I D25
I DM
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
188
600
105
4
20
1070
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
A
A
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source
Either Source Terminal S can be used as
the Source Terminal or the Kelvin Source
(Gate Return) Terminal.
Features
International Standard Package
miniBLOC, with Aluminium Nitride
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
Mounting Torque
Terminal Connection Torque
t = 1min
t = 1s
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
Isolation
Low Package Inductance
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Fast Intrinsic Diode
Weight
30
g
Advantages
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
200
V
Applications
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 105A, Note 1
T J = 150 ° C
2.5
4.5
± 200
25
2
10.5
V
nA
μ A
mA
m Ω
DC-DC Coverters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
Uninterrupted Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100019A(05/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| IXFN230N10 | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B |
| IXFN230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 |
| IXFN240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFN230N10 | 功能描述:MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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