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参数资料
| 型号： | IXFN210N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 188A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 105A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1070W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN210N20P
180
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
160
140
120
100
160
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
80
T J = 150oC
80
150oC
25oC
60
40
20
0
- 40oC
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 100V
I D = 105A
I G = 10mA
250
200
150
100
T J = 150oC
7
6
5
4
3
2
50
0
T J = 25oC
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
Cisss
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10,000
100
1,000
Coss
10
1ms
100
1
T J = 175oC
10ms
10
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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