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参数资料
| 型号： | IXFN210N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 188A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 105A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1070W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN210N20P
220
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
200
180
160
140
120
100
V GS = 15V
10V
8V
7V
300
250
200
150
V GS = 15V
10V
8V
7V
80
60
6V
100
6V
40
20
0
5V
50
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
220
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 105A Value vs.
Junction Temperature
200
180
160
140
120
100
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
2.6
2.2
1.8
1.4
V GS = 10V
I D = 210A
I D = 105A
80
60
1.0
40
20
0
5V
0.6
0.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.0
2.6
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 105A Value vs.
Drain Current
T J = 175oC
V GS = 10V
200
160
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
1.8
15V - - - -
80
1.4
T J = 25oC
1.0
0.6
40
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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