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参数资料
| 型号： | IXFN38N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 210 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
IXFN38N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
38A
210 m Ω
300 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
miniBLOC, SOT-227 B
E153432
S
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1000
1000
V
V
G
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
D
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
38
120
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I A
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10
50/60Hz t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
19
2
20
1000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
°C
°C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
International Standard Package
Encapsulating Epoxy meets
UL 94 V-0, Flammability Classification
miniBLOC with Aluminium Nitride
Isolation
Fast Recovery Diode
Avalanche Rated
Low package inductance
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000
V
Applications
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 300
V
nA
Switched-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
50 μ A
4 mA
210 m Ω
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99866B(7/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
| IXFN40N90P | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| IXFN420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 |
| IXFN44N100P | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B |
| IXFN44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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