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参数资料
| 型号： | IXFN38N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 210 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN38N100P
60
Fig. 7. Input Admittance
65
Fig. 8. Transconductance
50
60
55
50
T J = - 40oC
40
T J = 125oC
45
30
20
10
0
25oC
- 40oC
40
35
30
25
20
15
10
5
0
125oC
25oC
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
110
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
100
90
80
70
60
50
14
12
10
8
V DS = 500V
I D = 19A
I G = 10mA
40
30
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
20
2
10
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1ms
100μs
25μs
10,000
Ciss
100.0
100ms
10ms
DC
1,000
Coss
10.0
100
1.0
T J = 150oC
10
f = 1 MHz
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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