- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录455 > IXFN44N60 (IXYS)MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN44N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 44N60
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
100
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
80
T J = 25 C
80
60
O
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
60
T J = 125 O C
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
40
20
0
5V
40
20
0
0
4
8
12
16
20
24
0
4
8
12
16
20
24
V DS - Volts
Figure 3. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. I D
2.4
V DS - Volts
Figure 4. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. T J
2.4
2.0
V GS = 10V
T J = 125 O C
2.0
V GS = 10V
I D = 44A
1.6
1.2
0.8
T J = 25 O C
1.6
1.2
0.8
I D = 22A
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
60
50
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
60
50
40
30
20
10
40
30
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN44N80P | MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B |
| IXFN44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXFN48N55 | MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B |
| IXFN48N60P | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 |
| IXFN50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN44N80 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N80P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN48N50 | 功能描述:MOSFET 500V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN48N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。