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参数资料
| 型号： | IXFN44N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Power MOSFET
HiPerFET TM
Single MOSFET Die
IXFN44N80
V DSS
I D25
R DS(on)
= 800V
= 44A
≤ 0.165 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C, Chip capability
800
800
± 20
± 30
44
V
V
V
V
A
G
S
D
S
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
176
44
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 1 Ω
T C = 25 ° C
64
4
5
700
mJ
J
V/ns
W
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard packages
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
T J
T JM
T stg
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
° C
V~
V~
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell
structure
? Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
? Low package inductance
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
? DC-DC converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 8mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
800
2.5 4.5
V
V
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
100 μ A
2 mA
Advantages
? Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25, Note 1
0.165
Ω
? Space savings
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS98594E(08/07)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN48N55 | MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B |
| IXFN48N60P | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 |
| IXFN50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B |
| IXFN520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 |
| IXFN52N90P | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN44N80P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN48N50 | 功能描述:MOSFET 500V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN48N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXFN48N50Q | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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