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参数资料
| 型号： | IXFN48N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
IXFN 48N60P
V DSS
= 600 V
I D25
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
= 40 A
R DS(on) ≤ 140 m Ω
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
600
600
V
V
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
± 30
± 40
40
110
48
V
V
A
A
A
G
S
D
S
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
70
2.0
mJ
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 Ω
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t = 1 s
10
625
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
M d
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5 / 13 Nm/lb.in.
1.5 / 13 Nm/lb.in.
isolation
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Weight
30
g
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
600
V
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 200
25
1000
V
nA
μ A
μ A
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 4 A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
140
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99337E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B |
| IXFN520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 |
| IXFN52N90P | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 |
| IXFN60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B |
| IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN50N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN50N50 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN50N80Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN520N075T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN52N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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