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参数资料
| 型号： | IXFN48N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 48N60P
50
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
45
40
V GS = 10V
8V
7V
120
100
V GS = 10V
8V
35
30
80
7V
25
20
15
6V
60
40
10
5
0
5V
20
0
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
4
8
12
16
20
24
50
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 125 o C
3.1
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 24A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
45
40
35
30
V GS = 10V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
I D = 48A
25
20
15
1.6
1.3
I D = 24A
10
5
0
5V
1
0.7
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
I D = 24A V alue vs . Dr ain Cur re nt
45
T J - Degrees Centigrade
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . C as e
T e m p e r atu r e
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B |
| IXFN520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 |
| IXFN52N90P | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 |
| IXFN60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B |
| IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN50N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN50N50 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN50N80Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN520N075T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN52N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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