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参数资料
| 型号： | IXFN60N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
IXFN 60N80P
V DSS = 800 V
I D25 = 53 A
R DS(on) ≤ 140 m ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
800
800
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
G
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
53
250
A
A
D
S
I AR
T C = 25 ° C
30
A
G = Gate
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
100
5
20
mJ
J
V/ns
S = Source
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T C = 25 ° C
1040
W
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t = 1 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
M d
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5 / 13 Nm/lb.in.
1.5 / 13 Nm/lb.in.
l
l
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Weight
30
g
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 3 mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
800 V
Advantages
l
l
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
3.0
5.0
V
l
High power density
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 200
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T , Note 1
T J = 125 ° C
25
3000
140
μ A
μ A
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99562E(02/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 |
| IXFN64N50PD2 | MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B |
| IXFN64N50P | MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 |
| IXFN64N60P | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 |
| IXFN70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN61N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET |
| IXFN62N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN64N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN64N50P_09 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
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