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参数资料
| 型号： | IXFN64N50PD2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 186nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
Boost Configuration for
PFC Circuits
N-Channel Enhancement Mode
IXFN 64N50PD2
3
4
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 52 A
≤ 85 m ?
≤ 200 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
2
1
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
2
1
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
52
200
A
A
3
4
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
36
50
1.5
10
A
mJ
J
V/ns
1 = Source
2 = Gate
3 = Drain / Diode anode
4 = Diode / Diode cathode
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T C = 25 ° C
625
W
Features
Fast intrinsic diode in boost
T J
T JM
T stg
M D
Weight
Mounting Ttorque
Terminal connection torque
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
1.5 / 13 Nm/lb-in
5 / 13 Nm/lb-in
30 g
l
configuration
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
Low package inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 500 μ A
500
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 200
50
1
V
nA
μ A
mA
l
l
l
l
Easy to mount
Space savings
Tightly coupled FRED diode
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 32 A, Note 1
85
m ?
DS99507E(05/06)
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN64N50P | MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 |
| IXFN64N60P | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 |
| IXFN70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
| IXFN72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B |
| IXFN73N30Q | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN64N50PD3 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN64N60P | 功能描述:MOSFET 600V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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