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参数资料
| 型号： | IXFN64N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 96 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN 64N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600 V
50 A
96 m ?
200 ns
Fast Intrinsic Diode
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
V DSS
T J = 25°C to 150°C
600
V
V DGR
V GSS
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1 M ?
Continuous
600
± 30
V
V
D
S
V GSM
I D25
Transient
T C = 25°C
± 40
50
V
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
T C = 25°C
T C = 25°C
150
64
80
3.5
A
A
mJ
J
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
M d
I S ≤ I DM , di/dt ￡ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150°C, R G = 2 ?
T C = 25°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting torque
Terminal torque
20 V/ns
700 W
-55 ... +150 °C
150 °C
-55 ... +150 °C
300 °C
2500 V~
1.13/10 Nm/lb.in.
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Weight
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
30 g
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
? DC-DC converters
? Synchronous rectification
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
600
3.0
5.0
± 200
25
1000
V
V
nA
μ A
μ A
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
? Low voltage relays
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
96
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99443E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
| IXFN72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B |
| IXFN73N30Q | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B |
| IXFN80N48 | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B |
| IXFN80N50P | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN73N30 | 功能描述:MOSFET 300V 73A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN73N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
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