收藏本站
参数资料
型号： IXFN64N60P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
产品目录绘图： SOT-227, SOT-227B miniBLOC
标准包装： 10
系列： PolarHV™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 96 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 12000pF @ 25V
功率 - 最大： 700W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
包装： 管件
IXFN 64N60P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.000
0.100
0.010
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse W idth - Seconds
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
IXFN70N60Q2 MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
IXFN72N55Q2 MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
IXFN73N30Q MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
IXFN80N48 MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
IXFN80N50P MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFN66N50Q2 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN70N60Q2 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN72N55Q2 功能描述:MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN73N30 功能描述:MOSFET 300V 73A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN73N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*