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参数资料
| 型号： | IXFN64N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 96 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 64N60P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
40
63
12
1150
80
28
S
nF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D =0.5 I D25
R G = 1 ? (External)
23
79
ns
ns
M4 screws (4x) supplied
Dim. Millimeter
Inches
t f
24
ns
A
Min. Max.
31.50 31.88
Min. Max.
1.240 1.255
Q g(on)
200
nC
B
C
7.80
4.09
8.20
4.29
0.307
0.161
0.323
0.169
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
70
68
0.05
0.18
nC
nC
°C/W
°C/W
D
E
F
G
H
J
K
L
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
M
N
O
12.60
25.15
1.98
12.85
25.42
2.13
0.496
0.990
0.078
0.506
1.001
0.084
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
P
Q
R
S
T
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
I S
V GS = 0 V
64
A
U
-0.05
0.1
-0.002
0.004
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.6
6.0
150
1.5
200
A
V
ns
μ C
A
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
| IXFN72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B |
| IXFN73N30Q | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B |
| IXFN80N48 | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B |
| IXFN80N50P | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN73N30 | 功能描述:MOSFET 300V 73A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN73N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
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