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参数资料
| 型号： | IXFN64N50PD2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 186nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 64N50PD2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
SOT-227B (IXFN) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V DS = 20 V; I D = 32 A, Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 64 A
R G = 2 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 32 A
65
72
11
1020
80
28
32
110
30
186
60
62
0.05
0.2
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C/W
° C/W
(M4 screws (4x) supplied)
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
0.8
8
64
200
1.5
200
A
A
V
ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION
The product presented herein is under development. The Technical Specifications
offered are derived from data gathered during objective characterizations of preliminary
engineering lots; but also may yet contain some information supplied during a pre-
production design evaluation. IXYS reserves the right to change limits, test conditions,
and dimensions without notice.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or more of the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6771478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN64N50P | MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 |
| IXFN64N60P | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 |
| IXFN70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
| IXFN72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN64N50PD3 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN64N60P | 功能描述:MOSFET 600V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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