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参数资料
| 型号： | IXFN60N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
IXFN 60N60 V DSS
I D25
R DS(on)
= 600 V
= 60 A
= 75 m W
D
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
G
Preliminary data
S
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
T C = 25 ° C, Chip capability
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
600
600
± 20
± 30
60
240
V
V
V
V
A
A
E153432
G
S
D
S
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
64
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
E AS
T C = 25 ° C
4
J
Either Source terminal at miniBLOC can be used
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S
￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
5
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard packages
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ￡ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
V~
V~
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
rated
? Low package inductance
Weight
30
g
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
?
Battery chargers
?
Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GH(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
600
2
4.5
± 200
V
V
nA
?
?
power supplies
DC choppers
Temperature and lighting controls
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s,
duty cycle d ￡ 2 %
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100
2
75
m A
mA
m W
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98593B (7/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B |
| IXFN62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 |
| IXFN64N50PD2 | MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B |
| IXFN64N50P | MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 |
| IXFN64N60P | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN60N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id54 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN61N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET |
| IXFN62N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN64N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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