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参数资料
| 型号： | IXFN48N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 48N60P
80
70
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
Fig. 8. Trans conductance
80
60
70
50
40
T J = 125oC
25oC
60
50
30
20
-40oC
40
30
T J = -40oC
25oC
125oC
20
10
0
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
160
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
140
120
100
80
60
9
8
7
6
5
4
V DS = 300V
I D = 24A
I G = 10m A
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100000
V S D - V olts
Fig. 11. Capacitance
1. 00
Q G - nanoCoulombs
Fig . 13. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al
Re s is tan ce
f = 1MH z
C is s
10000
0. 10
1000
C os s
0. 01
100
10
C rs s
0. 00
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0. 0001
0. 001
0. 01
0. 1
1
10
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Puls e W idth - Sec onds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B |
| IXFN520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 |
| IXFN52N90P | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 |
| IXFN60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B |
| IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFN50N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN50N50 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN50N80Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN520N075T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN52N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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