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参数资料
| 型号： | IXFN52N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 308nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN52N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
900V
43A
160m Ω
300ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227
E153432
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
900
900
± 30
± 40
V
V
V
V
G
S
I D25
I DM
I A
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
43
104
26
A
A
A
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
S
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
2
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
International standard package
miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
Avalanche Rated
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
Mounting torque
Terminal connection torque
t = 1min
t = 1s
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Low package inductance
Fast intrinsic diode
Advantages
Low gate drive requirement
High power density
Applications:
Switched-mode and resonant-mode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
power supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
900
3.5
6.5
± 200
V
V
nA
AC and DC motor drives
Robotics and servo controls
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 26A, Note 1
T J = 125 ° C
50 μ A
4 mA
160 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100065(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B |
| IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B |
| IXFN62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 |
| IXFN64N50PD2 | MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B |
| IXFN64N50P | MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN55N50 | 功能描述:MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN55N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN56N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN56N90P_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN58N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET |
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