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参数资料
| 型号： | IXFN62N80Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 49A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN62N80Q3
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
60
50
40
30
V GS = 10V
8V
120
100
80
60
V GS = 10V
9V
8V
20
40
10
7V
20
7V
6V
0
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 31A Value vs.
Junction Temperature
60
V GS = 10V
8V
V GS = 10V
2.6
50
2.2
I D = 62A
40
30
20
7V
1.8
1.4
1.0
I D = 31A
10
0
6V
5V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 31A Value vs.
Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
50
T J = 125oC
2.4
2.2
40
2.0
30
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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