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参数资料
| 型号： | IXFQ14N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 720 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFH 14N80P
IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P
IXFV 14N80P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 800 V
= 14 A
≤ 720 m Ω
≤ 250 ms
Fast Intrinsic Diode
IXFV 14N80PS
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Transient
800
800
± 30
± 40
V
V
V
V
TO-3P (IXFQ)
D (TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
14
40
A
A
G
D
S
(TAB)
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
7
30
500
A
mJ
mJ
TO-268 (IXFT)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 5 Ω
10
V/ns
G
S
D (TAB)
P D
T C = 25 ° C
400
W
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
PLUS220 (IXFV)
G
D
S
D (TAB)
M d
Mounting torque (TO-247, TO-3P)
1.13/10 Nm/lb.in.
PLUS220SMD (IXFV...S)
Weight
PLUS220, PLUS220 SMD
TO-268, TO-3P
TO-247
2
5.5
6
g
g
g
G
S
D (TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Features
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
International standard packages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
25
1
V
nA
μ A
mA
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
720 m Ω
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99593E(07/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32656S8255K563 | FILM CAP 2.5000UF 10% 850V |
| B127J1V3Q2 | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2013LL1W03 | SW TOGGLE SPDT LOCK THR .250"PC |
| B123J77V7B2 | SWITCH ROCKER SPDT 0.5VA 28V |
| FXO-LC736R-800 | OSC 800 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFQ20N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ22N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ24N50P2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarP2 HiperFET Power MOSFET |
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