参数资料
型号: IXFQ14N80P
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
标准包装: 30
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 720 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3900pF @ 25V
功率 - 最大: 400W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
TO-3P-3L PACKAGE Outline
1. GATE
2. DRAIN (COLLECTOR)
3. SOURCE (EMITTER)
4. DRAIN (COLLECTOR)
ALL METAL AREA ARE TIN PLATED.
Ref: IXYS CO 0170 RA
? 2006 IXYS All rights reserved
PLUS220 (IXFV) Outline
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PDF描述
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参数描述
IXFQ20N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFQ21N50Q 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFQ22N60P3 功能描述:MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFQ23N60Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFQ24N50P2 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarP2 HiperFET Power MOSFET