- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18154 > IXFQ14N80P (IXYS)MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFQ14N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 720 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
20
18
16
14
Fig. 7. Input Admittance
30
27
24
21
Fig. 8. Transconductance
12
10
8
6
4
2
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
18
15
12
9
6
3
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
45
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
40
35
30
9
8
7
V DS =400V
I D = 7A
I G = 10mA
6
25
T J = 125oC
5
20
4
15
10
5
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 13. Maximum Transient Thermal
Resistance
f = 1 MHz
C iss
1,000
0.100
C oss
100
C rss
10
0.010
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_14N80P (6J) 5-02-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32656S8255K563 | FILM CAP 2.5000UF 10% 850V |
| B127J1V3Q2 | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2013LL1W03 | SW TOGGLE SPDT LOCK THR .250"PC |
| B123J77V7B2 | SWITCH ROCKER SPDT 0.5VA 28V |
| FXO-LC736R-800 | OSC 800 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFQ20N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ22N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ24N50P2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarP2 HiperFET Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。