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参数资料
| 型号： | IXFR150N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 105A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 150N15
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
ISOPLUS 247 (IXFR) OUTLINE
g fs
V DS = 10 V; I D = I T
Notes 2, 3
50
75
S
C iss
9100
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 W (External), Notes 2, 3
2600
1200
50
60
110
pF
pF
ns
ns
ns
t f
45
ns
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
Q g(on)
360
nC
A 1
A 2
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
Notes 2, 3
65
190
0.3
nC
nC
K/W
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
b 1.14 1.40
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
R thCK
0.15
K/W
b 1
b 2
1.91 2.13
2.92 3.12
.075 .084
.115 .123
C 0.61 0.80
D 20.80 21.34
E 15.75 16.13
.024 .031
.819 .840
.620 .635
Source-Drain Diode
Characteristic Values
e 5.45 BSC
.215 BSC
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L 19.81 20.32
L1 3.81 4.32
Q 5.59 6.20
.780 .800
.150 .170
.220 .244
R 4.32 4.83
.170 .190
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; Note 1
I F = I T , V GS = 0 V, Notes 2, 3
150
600
1.5
A
A
V
S 13.21 13.72
T 15.75 16.26
U 1.65 3.03
.520 .540
.620 .640
.065 .080
t rr
250
ns
Q RM
I RM
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1.1
13
m C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
3. I T = 75A
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 |
| IXFR15N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR180N06 | MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 |
| IXFR180N085 | MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 |
| IXFR180N10 | MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR15N100P | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR16N120P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR16N80P | 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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