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参数资料
| 型号： | IXFR48N60Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 154 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR48N60Q3
50
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
40
30
V GS = 10V
9V
100
80
60
V GS = 10V
9V
20
8V
40
8V
10
7V
20
7V
0
6V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
50
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 24A Value vs.
Junction Temperature
40
30
V GS = 10V
8V
3.0
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 48A
I D = 24A
1.8
20
7V
1.4
1.0
10
6V
0.6
0
5V
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 24A Value vs.
Drain Current
35
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
30
25
2.2
20
1.8
T J = 25oC
15
1.4
10
1.0
0.6
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR4N100Q | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 |
| IXFR55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 |
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| IXFR64N50P | MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247 |
| IXFR64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR4N100Q | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR50N50 | 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR52N30Q | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR55N50 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR55N50F | 功能描述:MOSFET F -Class HiPerRF Capable MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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