参数资料
型号: IXFR48N60Q3
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
特色产品: Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 154 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7020pF @ 25V
功率 - 最大: 500W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: ISOPLUS247?
包装: 管件
IXFR48N60Q3
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
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Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_48N60Q3(R8) 6-22-11
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参数描述
IXFR4N100Q 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR50N50 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR52N30Q 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR55N50 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR55N50F 功能描述:MOSFET F -Class HiPerRF Capable MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube