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参数资料
| 型号： | IXFT140N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
140
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
120
V GS = 10V
9V
270
V GS = 10V
240
100
210
9V
80
60
8V
180
150
8V
40
7V
120
90
20
60
7V
V D S 5 - Volts
0
0
0.2
0.4
6V
0.6 0.8
V D S - Volts
1
1.2
1.4
1.6
30
0
0
1
2
3
6V
4 6
7
8
9
10
140
120
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
V GS = 10V
9V
2.4
2.2
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
V GS = 10V
2
100
1.8
80
60
40
8V
7V
6V
1.6
1.4
1.2
I D = 140A
I D = 70A
1
20
0
5V
0.8
0.6
0
0.4
0.8
1.2 1.6 2
V D S - Volts
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
3
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.75
80
External Lead Current Limit
2.5
2.25
2
1.75
1.5
T J = 175 o C
V GS = 10V
70
60
50
40
30
1.25
1
0.75
V GS = 15V
T J = 25 o C
20
10
0
0
50
100
150 200
I D - Amperes
250
300
350
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 |
| IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 |
| IXFT150N20T | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| IXFT15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| IXFT15N100Q | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT14N100 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT150N17T2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| IXFT150N20T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT15N100 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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